RJP65T43DPM-00#T1

RJP65T43DPM-00#T1 — электронный компонент Renesas Electronics Corporation, категория Одиночные IGBT. Характеристики: IGBT TRENCH 650V 40A TO-3PFM. Закупки и разработка могут сверит

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
RJP65T43DPM-00#T1
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Другие номера деталей:
-
Описание:
IGBT TRENCH 650V 40A TO-3PFM
Спецификация:
-

Характеристики продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Discontinued at
Ток коллектора (Ic) (макс.) 40 A
输入类型 Standard
Корпус TO-220-3 Full Pack
Рабочая температура 175°C (TJ)
Заряд затвора 70 nC
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
IGBT Тип Trench
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
Условия испытания 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Поставщик Устройство Корпус TO-3PFM
Мощность - Максимальная 68.8 W
Энергия переключения 170µJ (on), 110µJ (off)
Td (включено/выключено) @ 25°C 30ns/107ns