MIP100R12E2TN-BP
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| Корпус | Module |
| IGBT Тип | - |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 1 mA |
| Конфигурация | Three Phase Inverter |
| 输入 | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC Термистор | Yes |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 100 A |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 100A |
| Мощность - Максимальная | 555 W |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 6800 pF @ 25 V |