GT40QR21(STA1,E,D
GT40QR21(STA1,E,D — электронный компонент Toshiba Semiconductor and Storage, категория Одиночные IGBT. Характеристики: IGBT 1200V 40A TO-3P. Закупки и разработка могут сверить марк
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Шэньчжэнь Кластер Технология Ко. есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| IGBT Тип | - |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 40 A |
| 输入类型 | Standard |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| Корпус | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Td (включено/выключено) @ 25°C | - |
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
| Мощность - Максимальная | 230 W |
| Ток коллектора импульсный (Icm) | 80 A |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-3P(N) |
| Время обратного восстановления (trr) | 600 ns |
| Условия испытания | 280V, 40A, 10Ohm, 20V |
| Энергия переключения | -, 290µJ (off) |